侠客行

Anthropic计划IPO募资超1000亿美元投资者却发出一连串质疑_我的网站

百思不得姐

A | 　　当地时间8月23日，半导体行业研究机构SemiAnalysis发文称，NAND闪存制造正从钨转向钼，因为当NAND来到300层以上，钼是必选项。

B | 　　SemiAnalysis分析，3D NAND闪存堆叠层数突破300层后，钨字线在电阻、化学兼容性和深孔填充三方面均触及物理极限，钼成为强制替代材料。三星已于2024年量产，美光2025年跟进，SK海力士计划2026年底推出375层钼工艺产品。

C | 其估计，钼在NAND总产能中的占比将从2025年的中个位数百分比，增长至2027年的约30%。　　更进一步的，该机构提出，钼沉积设备将在明年迎来超10亿美元的新增市场。　　人工智能初创公司Anthropic计划在今年IPO，有望冲击史上最大的IPO。　　该机构称，每一次从钨到钼的转换，都意味着需要新的沉积设备。SemiAnalysis估计，仅2027年一年，NAND钼沉积设备的销售额就将超过10亿美元，并随着DRAM和逻辑芯片的跟进，到2030年增长至约20亿美元/年。消息人士称，其IPO估值可能达到2万亿美元。

D | 　　受益格局方面，Lam Research（泛林集团）最先获益，TEL（东京电子）紧随其后；AMAT（应用材料）、ASMI（ASM国际）及Naura（北方华创）则更多受益于后续DRAM和逻辑芯片的转型浪潮。

E | 　　消息人士还指出，Anthropic近期与潜在投资者举行了“试探性会谈”，该公司可能通过IPO筹集超过1000亿美元的资金，这将让其估值超过SpaceX今年6月IPO时的估值1.77万亿美元，当时SpaceX筹集了857亿美元。

F | 　　对于Anthropic而言，此次IPO也将是一次重大飞跃，该公司今年在一轮私募融资中估值达到9000亿美元。　　然而，当前的市场环境可能对Anthropic来说并不完美。SemiAnalysis表示，完整的细分市场层面测算已纳入其前道设备（WFE）模型。

G | 政治和经济形势不明朗的情况下，Anthropic的上市将进一步检验市场对人工智能股票的需求。　　知情人士称，Anthropic在投资者推介时可能重点强调其持续的营收增长能力，但一个关键问题是其能否获得足够的算力。　　钼渗透率在高层数NAND中提升，本质是为延续NAND单位Bit成本下降曲线。

H | 　　300层NAND主要在结构上升级，聚焦超高深宽比通道孔刻蚀、多次Stack堆叠、晶圆翘曲控制以及Overlay精度控制。　　375层乃至400层以后，材料亟需升级，因钨字线会因为字线间距通道孔缩小面临RC延迟快速恶化、WF残氟导致介质损伤、漏电失效率提升以及填充缺陷放大的问题。　　开始不利的IPO环境　　Anthropic已开始向潜在投资者进行早期推介，Anthropic的高管在推介时表示，他们相信其人工智能模型将持续改进，这将使公司能够在竞争对手试图通过价格战来压低其服务价格的情况下，继续保持高价收费。　　但投资者质疑该公司将如何维持高额收费，以及如何应对开源模型的兴起。而钼凭借更低电阻率、无氟前驱体及无需阻隔层等优势，有望改善RC性能与器件可靠性，为字线和存储孔缩放提供工艺余量，从而延续高层数NAND的成本下降曲线。

I | 开源模型公开其系统运行的计算过程，且价格可能低于Anthropic的产品。　　除此之外，鉴于美国市场对数据中心越来越高涨的反对呼声，投资者也要求Anthropic必须在招股书中列明风险因素，作为投资者披露信息并寻求法律保护。　　SpaceX此前在其风险因素部分表示，不利的全球宏观经济和地缘政治形势可能会对该公司的业务、财务状况、经营业绩和未来前景产生负面影响。　　而数据中心引发的社会不安同时也引向美国算力建设可能放缓的困境，但算力又与Anthropic等人工智能实验室等收入直接相关。　　中银证券表示，SK海力士已完成375层3D NAND生产验证并计划2026年底量产，拟采用钼材料替代钨制作字线，继三星在286层第九代3D NAND中率先导入钼工艺后，两大存储龙头相继切换，钼替代钨趋势确立。

J | 算力增长放缓可能会影响该公司的营收增长速度。　　然而，钼的材料加工更为复杂，因为必须以气体形式输送，且前驱物在室温下为固体，需要加热器以确保流动稳定性。　　基于此，300层以上3D NAND字线由钨切换为钼，并不是简单更换靶材或者更换气体材料，而是前驱体供给、ALD沉积腔体、刻蚀、清洗、尾气处理整套工艺链条的重构，原有钨CVD产线硬件无法直接复用，将直接推动晶圆厂资本开支上行，同时设备、特种材料、零部件均迎来变化。　　爱建证券表示，钼导入本质是一次全流程工艺重构，设备链受益有望沿“沉积及前驱体输送→CMP及清洗→刻蚀→量检测”路径传导，工艺难点由沉积向后处理环节延伸。

K | 其中——　　沉积：成熟的WF钨工艺，Mo沉积需重新建立高深宽比结构下的填充与缺陷控制工艺窗口，同时有望减少阻隔层使用，带动沉积设备及配套工艺升级；　　输送：Mo前驱体通常采用低挥发性固态源，与传统WF气态前驱体体系差异较大，需要新增气化装置、温控管路及精密供气系统，以保障前驱体稳定输送；　　CMP：Mo材料的氧化及表面化学特性不同于传统金属体系，需重新开发CMP研磨液和研磨垫，以满足平坦化、去除速率及缺陷控制要求；　　清洗：Mo导入后残留物及氧化物体系发生变化，高深宽比结构下金属残留和污染控制难度提升，有望推动相关湿法清洗设备及配套化学品验证导入；　　刻蚀环节则需重新建立适配钼材料的工艺窗口，且3DNAND层数持续提升下，刻蚀选择性、侧壁形貌控制及层间均匀性要求进一步提高，有望带动相关刻蚀设备升级需求；　　量检测：Mo量产还需新增膜厚均匀性、填充缺陷、金属残留及电学可靠性等监控项目，有望带动薄膜量测、缺陷检测及电性测试等设备需求增长。　　该机构称，NAND工艺迭代核心从单纯堆叠层数转向材料—设备—工艺协同创新，新材料导入将持续催生沉积、刻蚀、清洗等关键设备迭代升级，Mo字线导入将推动沉积、刻蚀、清洗等关键环节工艺升级，相关设备及零部件厂商有望受益。